(探测器)S-010美国EOS硅si光电探测器

  • 2023-02-21 10:05:56
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今天,江南全站登陆 小敏给大家介绍一下(探测器)S-010美国EOS硅si光电探测器,以下(探测器)S-010美国EOS硅si光电探测器的内容是小敏网上整理,希望对您有用。

美国EOS硅si光电探测器

1、Si探测器(响应波段范围:0.2-1.1):

简介:美国EOS硅si光电探测器,硅的探测器的工作波长在0.3-1.0微米。在室温的条件下,该产品具有很高的灵敏度,还有一些附件支持,如滤光片(长波滤光片和带通滤光片)、前置放大器、光纤连接器。这些器件可应用在工业的控制系统、气体分析、热传感器以及光纤测试设备。

室温Si探测器:

Detector type

Active Dia

(mm)

Shunt Resistanve

(MΩ)

Shunt Capacitance

(PF),tpy

Operating Wavelength (nm)

Spectral

Responsivity

(A/W)

NEP

(W/ )

@800nm,1KHz

S-010

1.0

500

25

300-1000

0.55@850nm

<1.0x

UVS-010

1.0

500

50

200-1000

0.55@800nm

<1.0x

S-025

2.5

500

400

300-1000

0.55@850nm

<1.0x

UVS-025

2.5

200

300

200-1000

0.50@800nm

<1.5x

S-050

5

200

1500

350-1100

0.55@850nm

<1.5x @850nm

UVS-050

5

50

1000

200-1100

0.50@800nm

<3.0x @700nm

S-100

10

10

1000

350-1100

0.50@850nm

<1.0x @850nm

UVS-100

10

50

1800

200-1000

0.50@800nm

<5x @800nm

S-113

11.3

200

9000

300-1100

0.55@850nm

<1.5x

UVS-113

11.3

10

4000

200-1000

0.50@800nm

<1.0x

二级制冷Si探测器:

type

Operating Temperature(℃)

Shunt

Resistanve

(MΩ)

Shunt Capacitance

(PF),tpy

NEP

(W/ )@800nm

Responsivity@850nm

(A/W)

Cooler Current

(A)

S-010-TE2

22

500

25

0.55

0.00

-30

>1000

25

0.55

0.65

UVS-010-TE2

22

500

50

0.55

0.00

-30

>1000

50

0.55

0.65

S-025-TE2

22

100

400

<1.9x10-14

0.55

0.00

-30

>1000

400

<5x10-15

0.55

0.65

UVS-025-TE2

22

200

300

<1.5x10-14

0.55

0.00

-30

>1000

300

<10-14

0.55

0.65

S-050-TE2

22

>200

1000

<1.5x10-14

0.55

0.00

-30

>1000

1000

<10-14

0.55

0.65

UVS-050-TE2

22

>100

1000

<2x10-14

0.55

0.00

-30

>1000

1000

<10-14

0.55

0.65

S-100-TE2

22

10

1000

<1.0x10-13

0.50

0.00

-30

500

900

<1.0x10-14

0.50

0.70

UVS-100-TE2

22

50

1800

<5.0x10-14

0.50

0.00

-30

1000

1600

<1.0x10-14

0.50

0.70

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