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这款深能级瞬态谱仪DLTS是专业为检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态设计的深能级瞬态光谱仪器。深能级瞬态谱仪Deep Level Transient Spectroscopy,可以给出与陷阱有关的密度,热交叉选择,能级,空间分布等。通过监测半导体结在不同温度下的脉冲产生的电容、电流或电荷瞬变,可产生每个深度级别的光谱,每个深能级都有一个峰值。峰的高度与陷阱密度成正比,其符号允许区分少数和多数陷阱,并且温度轴上的峰的位置导致确定热发射和俘获(活化能和横截面)的基本参数。该方法的应用导致了新现象的发现,并为理解半导体器件的材料加工提供了*的工具。
深能级瞬态谱仪DLTS特点监测半导体电学性能的有效而灵敏方法监测大块缺陷或界面缺陷确定缺陷密度,活化能、热截面、空间分布、俘获率和发射率适合样品类型:P-N结,肖特基二极管,MOS结构,LEDs,FETs,半导体激光器,高阻和半绝缘材料高灵敏度:探测大量本体缺陷密度<<109 atoms/cm3.测量模式包括:C-V, C-T, I-V, I-T, DLTS, DDLTS, CCDLTS, DDLTS/CCDLTS, CTS, ITS, PICTS, QTS, Fast Pulse Interface, High Voltage Interface & Multiple Correlation.模块化设计,方便用户植入新的功能专有电容表提供3微秒响应时间,快速恢复过载和高抗泄漏电流。自动抑制60dB电容监测温度扫描过程中样品漏电快速温度扫描:100k@8分钟宽广温度范围:10K~800K一次温度扫描中同时产生8个不同速率窗口的光谱数字采集包括16位分辨率、1微秒采样增量、5年时间跨度和对平均瞬变次数无限制。实验参数和过程控制 脉宽,脉冲幅值,脉冲周期和DC等 初始温度,终温度,温度增量和扫描时间 数据采集速率和平均的循环数 存储,绘图,分析光谱